氧和水份(fen)對合成反應傷(shang)害很大

       影(ying)(ying)(ying)響三氯氫硅(gui)生產合成的因素主要(yao)有：溫度(du)(du)、氧和水(shui)分(fen)的影(ying)(ying)(ying)響、游離氯的控制(zhi)、硅(gui)粉粒度(du)(du)、料層高度(du)(du)和氯化氫流量(liang)。以下針對影(ying)(ying)(ying)響因素作簡要(yao)概述。

       硅粉(fen)粒度

       硅粉與氯化氫氣體反(fan)應是在硅(gui)的(de)(de)表面進行的(de)(de)，硅(gui)粉比表面積(ji)越(yue)大，越(yue)有利(li)于反(fan)應，即要求硅(gui)粉粒(li)(li)度(du)(du)應該較小。但(dan)是粒(li)(li)度(du)(du)過小，流(liu)化時容易形成聚式(shi)流(liu)化床，有較多(duo)的(de)(de)氣泡，將抑制傳質進行，使(shi)氯 化氫(qing)的(de)(de)一(yi)次轉化率降低，同時，較小的(de)(de)顆粒(li)(li)迅速(su)反(fan)應，很快就達到帶(dai)出粒(li)(li)徑范圍，使(shi)硅(gui)粉的(de)(de)利(li)用率降低。因此，選用粒(li)(li)度(du)(du)適(shi)中的(de)(de)硅(gui)粉是很重要的(de)(de)。

       氧和水(shui)份的影(ying)響

       氧(yang)和水(shui)份(fen)對(dui)合成(cheng)反應傷(shang)害很大，因為Si-0化學(xue)鍵比Si-Cl化學(xue)鍵更穩定，進(jin)入系統的氧(yang)元素都會與硅合成(cheng)硅膠(jiao)或硅氧(yang)烷類物(wu)質，一(yi)方面在硅粉表(biao)面形成(cheng)一(yi)層致(zhi)密的氧(yang)化膜(mo)，影響反應的正常進(jin)行(xing)，使產物(wu)中三氯氫硅含量(liang)降低，此外還形成(cheng)硅膠(jiao)類物(wu)質堵(du)塞管道，使生產系統發生故障。

       料層高度和氯化氫流(liu)量

       有形成“管涌”的(de)(de)可能(neng)性(xing)，如(ru)果(guo)料層過(guo)低，產(chan)生不均(jun)勻沸騰(teng)，反(fan)應的(de)(de)接觸(chu)時(shi)間也縮短，產(chan)量(liang)會降低。氯(lv)化(hua)氫的(de)(de)流(liu)(liu)量(liang)決(jue)定(ding)了顆(ke)粒(li)床(chuang)的(de)(de)流(liu)(liu)化(hua)狀態。具體的(de)(de)料層高度和(he)氯(lv)化(hua)氫流(liu)(liu)量(liang)需通過(guo)實際生產(chan)實踐確定(ding)。

       氯化氫中游離氯的控制

       游(you)離氯對合成爐(lu)的(de)影(ying)響(xiang)(xiang)主要是兩個(ge)方面：一是含量(liang)(liang)過(guo)高有爆炸危險，另外(wai)是會影(ying)響(xiang)(xiang)合成的(de)質量(liang)(liang)。通(tong)過(guo)氯化氫(qing)合成爐(lu)反應時氫(qing)過(guo)量(liang)(liang)4%左右來控制(zhi)游(you)離氯，并用含量(liang)(liang)檢(jian)測儀連續檢(jian)測氯化氫(qing)的(de)質量(liang)(liang)來確(que)保游(you)離氯含量(liang)(liang)低于生產要求

 ;      三(san)氯(lv)氫硅(gui)生產合成(cheng)中，用到的材料其特殊性，直接關系(xi)到三(san)氯(lv)氫硅(gui)的產品(pin)品(pin)質(zhi)，以及合成(cheng)過程的正(zheng)常運(yun)行。

       山東言赫化工有限公司專業經營淄博萬達利特種氣體公司生產的氯化氫是在淄博齊魯石化工業園區注冊的高新科技企業，淄博萬達利直屬于北京華宇同方，主要從事新材料技術和化工新技術的研發，以及高新技術產品的生產和銷售。研發的沸石催化劑及其應用技術處于世界先進水平.生產的“華宇同方”牌高純氯化氫產(chan)品與國際知名品牌(pai)的(de)性能相當,為半導體器件制(zhi)造業、光伏(fu)產(chan)業和醫藥(yao)工業提供(gong)了充足的(de)優質原材料(liao)。