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氯氣噴射速度是影響氯化氫合成爐的腐蝕因素

返回  打印  發布時間:2013/5/20 點擊:10988

    氯化(hua)氫的合成(cheng)(cheng)(cheng)過程(cheng)(cheng)需要在氯化(hua)氫合成(cheng)(cheng)(cheng)爐(lu)中完(wan)成(cheng)(cheng)(cheng),但(dan)是氯化(hua)氫長期生產(chan)過程(cheng)(cheng),會對合成(cheng)(cheng)(cheng)爐(lu)造成(cheng)(cheng)(cheng)不同程(cheng)(cheng)度的腐(fu)蝕,那(nei)(nei)么能(neng)夠影響氯化(hua)氫合成(cheng)(cheng)(cheng)爐(lu)腐(fu)蝕程(cheng)(cheng)度的關(guan)鍵因素有那(nei)(nei)些呢?

    確定適宜(yi)的(de)(de)燈頭中(zhong)氯(lv)氣(qi)(qi)噴(pen)射速(su)度(du)(du):氯(lv)化氫合(he)成爐燈頭中(zhong)氯(lv)氣(qi)(qi)噴(pen)射速(su)度(du)(du)亦是影響合(he)成爐腐蝕(shi)的(de)(de)因素。當氯(lv)氣(qi)(qi)噴(pen)射速(su)度(du)(du)u<3m/s時,燃(ran)燒火(huo)焰低(di),大量熱集中(zhong)在爐膛底部,會發生(sheng)高(gao)溫(wen)腐蝕(shi);當u>8m/s時,火(huo)焰較長熱量較多地沖向爐頂,使爐頂產生(sheng)高(gao)溫(wen)腐蝕(shi),而(er)爐底則會產生(sheng)低(di)溫(wen)區氫去極(ji)化腐蝕(shi)。燈頭雖有單層(ceng)和多層(ceng)結構之分(fen),但設計和生(sheng)產運行證實(shi)適宜(yi)的(de)(de)燈頭中(zhong)氯(lv)氣(qi)(qi)噴(pen)射速(su)度(du)(du)u=5.0~5.5m/s。

    通過以上對造成氯化氫合成爐腐蝕因素的了解,希望能給各大氯化氫生產企業(ye)到來一點幫助(zhu)。

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